GB/T 30116-2013 半导体生产设施电磁兼容性要求

Requirements for semiconductor manufacturing facility electromagnetic compatibility

资源信息

标准号 GB/T 30116-2013 标准状态 现行
发布日期 2013-12-17 实施日期 2014-04-15
发布单位 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位 国家标准委

标准状态:现行
标准号:GB/T 30116-2013
标准名:半导体生产设施电磁兼容性要求
标准英文名:Requirements for semiconductor manufacturing facility electromagnetic compatibility
批准发布部门:国家标准委
中国标准分类号:L95
标准层级:GBT推荐性国家标准

提示

本站资源均来自互联网公开发布和用户分享,仅供参考,勿用于任何商业用途

相关内容

  1. T/GVS 005-2022 半导体装备用绝压电容薄膜真空计比对法测试规范
  2. GB/T 34971-2017 半导体制造用气体处理指南
  3. GB/T 249-2017 半导体分立器件型号命名方法
  4. GB/T 36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范
  5. DB34/ 4294-2022 半导体行业水污染物排放标准
  6. GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法
  7. SN/T 3480.4-2016 进口电子电工行业成套设备检验技术要求 第4部分:半导体封装测试设备
  8. GB/T 35010.3-2018 半导体芯片产品 第3部分:操作、包装和贮存指南
  9. T/ZZB 1718-2020 半导体封装用键合金丝
  10. GB/T 6609.2-2022 氧化铝化学分析方法和物理性能测定方法 第2部分:300 ℃和1000 ℃质量损失的测定