GB/T 249-2017 半导体分立器件型号命名方法
The rule of type designation for discrete semiconductor devices
资源信息
| 标准号 | GB/T 249-2017 | 标准状态 | 现行 |
|---|---|---|---|
| 发布日期 | 2017-05-12 | 实施日期 | 2017-12-01 |
| 发布单位 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | ||
| 归口单位 | 工业和信息化部（电子） | ||
标准状态：现行标准号：GB/T 249-2017标准名：半导体分立器件型号命名方法标准英文名：The rule of type designation for discrete semiconductor devices批准发布部门：工业和信息化部（电子）中国标准分类号：L40国际标准分类号：31.080.01标准层级：GBT推荐性国家标准
提示
本站资源均来自互联网公开发布和用户分享，仅供参考，勿用于任何商业用途
相关内容
- GB/T 15649-1995 半导体激光二极管空白详细规范
- T/GSEE 0011-2023 高压交流电路半导体开关设备技术规范
- GB/T 13973-2012 半导体管特性图示仪通用规范
- T/SZBSIA 007-2022 IC类半导体固晶机检测规范
- GB/T 36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范
- GB/T 42676-2023 半导体单晶晶体质量的测试 X射线衍射法
- GB/T 11499-2001 半导体分立器件文字符号
- GB/T 21548-2021 光通信用高速直接调制半导体激光器的测量方法
- GB/T 39771.2-2021 半导体发光二极管光辐射安全 第2部分：测试方法
- GB/T 19485-2014 海洋工程环境影响评价技术导则