T/GVS 005-2022 半导体装备用绝压电容薄膜真空计比对法测试规范

资源信息

标准状态：现行
标准号：T/GVS 005-2022
标准名：半导体装备用绝压电容薄膜真空计比对法测试规范
标准英文名：Testing specification for contrast method of absolute pressure capacitance diaphragm vacuum gauge in the semiconductor equipment
团体名称：广东省真空学会
包含专利：否
中国标准分类号：J 78
国际标准分类号：23.160
行业分类：M745 质检技术服务
标准层级：团体标准
适用范围:本文件规定了半导体装备用绝压电容薄膜真空计比对法测试的术语和定义、符号和缩略语、总则、测试条件要求、精度测试、重复性精度测试、零点、满度温度系数测试、数据处理、复测时间。通过对这些内容的描述，可推知能够适用于半导体装备用电容薄膜真空计的测试方法及过程。 半导体制造过程工艺复杂且多数工艺需在真空条件下进行，因此，真空度的准确测量可保障半导体制造工艺的稳定性。半导体装备用电容薄膜真空计是一种用于半导体制造过程中真空度测量的高性能电容薄膜真空计，相比于其它类型电容薄膜真空计，除了需采用读值精度衡量真空计性能外，对重复性精度以及零点、满度温度系数也有较高的要求。 本文件对如何测试特殊类型的电容薄膜真空计未作出指导，此类指导将在其它标准中提供。 本文件适用于测量范围在0.01 Pa～100 kPa的半导体装备用绝压电容薄膜真空计比对法测试。
主要技术内容：本文件规定了半导体装备用绝压电容薄膜真空计比对法测试的术语和定义、符号和缩略语、总则、测试条件要求、精度测试、重复性精度测试、零点、满度温度系数测试、数据处理、复测时间。通过对这些内容的描述，可推知能够适用于半导体装备用电容薄膜真空计的测试方法及过程。半导体制造过程工艺复杂且多数工艺需在真空条件下进行，因此，真空度的准确测量可保障半导体制造工艺的稳定性。半导体装备用电容薄膜真空计是一种用于半导体制造过程中真空度测量的高性能电容薄膜真空计，相比于其它类型电容薄膜真空计，除了需采用读值精度衡量真空计性能外，对重复性精度以及零点、满度温度系数也有较高的要求。本文件对如何测试特殊类型的电容薄膜真空计未作出指导，此类指导将在其它标准中提供。
起草单位：季华实验室、暨南大学、佛山市佛欣真空技术有限公司、中山共享光电真空技术有限公司、中山凯旋真空科技股份有限公司、佛山兴翰科技有限公司
起草人：卫红、刘乔、侯少毅、胡强、胡琅、王凤双、刘彭义、陈科球、唐振方、武文全、徐中武、聂鹏、王威