T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法

资源信息

标准状态：现行
标准号：T/CASAS 015-2022
标准名：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法
标准英文名：Power cycling test method for silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor（SiC MOSFET）
团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
包含专利：否
国际标准分类号：31.080.01 半导体器分立件综合
行业分类：C397 电子器件制造
标准层级：团体标准
适用范围:本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。 本文件适用于不带反向并联肖特基二极管的SiC MOSFET分立器件的功率循环试验。
主要技术内容：本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。本文件适用于不带反向并联肖特基二极管的SiC MOSFET分立器件的功率循环试验。
起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、江苏宏微科技股份有限公司、国网智能电网研究院有限公司、深圳市禾望电气股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、中国电子科技集团集团第五十五研究所、比亚迪半导体股份有限公司、深圳基本半导体有限公司、中国航天科技集团公司第八研究院第八0八研究所、南方电网科学研究院有限责任公司、西安交通大学、东莞南方半导体科技有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草人：陈媛、贺致远、来萍、路国光、姚天保、李金元、李尧圣、谢峰、成年斌、陈义强、黄云、刘奥、刘昌、徐新兵、吴海平、唐宏浩、刘伟鑫、李巍巍、王来利、乔良、徐瑞鹏