GB/T 29856-2013 半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法
Characterization of semiconducting single-walled carbon nanotubes using near infrared photoluminescence spectroscopy
资源信息
| 标准号 | GB/T 29856-2013 | 标准状态 | 现行 |
|---|---|---|---|
| 发布日期 | 2013-11-12 | 实施日期 | 2014-04-15 |
| 发布单位 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | ||
| 归口单位 | 中国科学院 | ||
标准状态：现行标准号：GB/T 29856-2013标准名：半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法标准英文名：Characterization of semiconducting single-walled carbon nanotubes using near infrared photoluminescence spectroscopy批准发布部门：中国科学院中国标准分类号：G12国际标准分类号：71.060.99标准层级：GBT推荐性国家标准
提示
本站资源均来自互联网公开发布和用户分享，仅供参考，勿用于任何商业用途
相关内容
- T/GVS 005-2022 半导体装备用绝压电容薄膜真空计比对法测试规范
- T/GVS 006-2022 半导体射频电源和微波电源的输出偏差稳定性测量方法
- T/CASAS 017-2021 第三代半导体 微纳米金属烧结技术 术语
- T/IAWBS 004-2021 电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法
- T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
- GB/T 37031-2018 半导体照明术语
- GB/T 1555-2023 半导体单晶晶向测定方法
- GB/T 43136-2023 超硬磨料制品 半导体芯片精密划切用砂轮
- T/IAWBS 004-2017 电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法
- GB/T 3074.3-2008 石墨电极氧化性测定方法