T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范

资源信息

标准状态：现行
标准号：T/CASAS 006-2020
标准名：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
标准英文名：The general specification for silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor
团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
包含专利：否
国际标准分类号：29.045
行业分类：C397 电子器件制造
标准层级：团体标准
适用范围:本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（以下简称“晶体管”）的术语、符号、基本额定值和特性、检验要求、测量与试验方法。
主要技术内容：本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（以下简称“晶体管”）的术语、符号、基本额定值和特性、检验要求、测量与试验方法。
起草单位：中国科学院微电子研究所、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、华大半导体有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司、北京世纪金光半导体有限公司
起草人：许恒宇、李金元、刘奥、万彩萍、刘鹏飞、刘国友、孙博韬