T/ZZB 2833-2022 高压MOSFET用200 mm硅外延片

资源信息

标准状态：现行
标准号：T/ZZB 2833-2022
标准名：高压MOSFET用200 mm硅外延片
标准英文名：200 mm silicon epitaxial wafers for high voltage MOSFET
团体名称：浙江省品牌建设联合会
包含专利：否
中国标准分类号：H82
国际标准分类号：29.045
行业分类：C398 电子元件及电子专用材料制造
标准层级：团体标准
主要技术内容：本文件规定了高压MOSFET用200 mm硅外延片（以下简称硅外延片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、 质量证明书、 运输和贮存及质量承诺。本文件适用于直径为200 mm、外延层厚度为40 μm～80 μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向的硅外延片。产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET） 器件（简称高压MOSFET） 。
起草单位：浙江金瑞泓科技股份有限公司、金瑞泓科技（衢州）有限公司
起草人：许峰、李慎重、李刚、刘红方、朱华英、李方虎、李艳玲