T/IAWBS 008-2019 SiC晶片的残余应力检测方法

资源信息

标准状态：现行
标准号：T/IAWBS 008-2019
标准名：SiC晶片的残余应力检测方法
标准英文名：Experimental method for residual stress in SiC wafers
团体名称：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
包含专利：否
国际标准分类号：29.045
行业分类：C398 电子元件及电子专用材料制造
标准层级：团体标准
适用范围:本标准规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。 本标准适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。
主要技术内容：近年来，以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目。由于其具有禁带宽、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一代移动通信、消费类电子等领域，被视为支撑能源、交通、信息、国防等产业发展的核心技术，全球市场容量未来将达到百亿美元，已成为美国、欧洲、日本半导体行业的重点研究方向之一。?与传统硅基晶圆类似，碳化硅晶圆的制造工艺中也会产生残余应力，过大的残余应力除了会造成晶圆翘曲、断裂等失效问题外，还会因压阻效应影响碳化硅晶圆电性能，因此，精确测量制造工艺过程中SiC晶圆的残余应力，对于提高产品良率和电性能，具有重要的意义。
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京聚睿众邦科技有限公司、北京航空航天大学、北京三平泰克科技有限责任公司
起草人：苏飞、闫方亮、陆敏、郑红军、陈鹏、林雪如、刘祎晨、韩超