GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
资源信息
| 标准号 | GB/T 25188-2010 | 标准状态 | 现行 |
|---|---|---|---|
| 发布日期 | 2010-09-26 | 实施日期 | 2011-08-01 |
| 发布单位 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | ||
| 归口单位 | 中国科学院 | ||
标准状态：现行标准号：GB/T 25188-2010标准名：硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法标准英文名：Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy批准发布部门：中国科学院中国标准分类号：G04国际标准分类号：71.040.40标准层级：GBT推荐性国家标准
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