GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe

资源信息

标准号 GB/T 6617-2009 标准状态 现行
发布日期 2009-10-30 实施日期 2010-06-01
发布单位 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位 国家标准委

标准状态：现行
标准号：GB/T 6617-2009
标准名：硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
标准英文名：Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe
批准发布部门：国家标准委
中国标准分类号：H80
国际标准分类号：29.045
标准层级：GBT推荐性国家标准

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