T/ZZB 0648-2018 200 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片

200 mm heavily phosphorus-doped single crystalline Czochralski silicon polished wafers

资源信息

标准号 T/ZZB 0648-2018 标准状态 现行
发布日期 2018-10-19 实施日期 2018-11-01
发布单位
归口单位

标准状态:现行
标准号:T/ZZB 0648-2018
标准名:200 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片
标准英文名:200 mm heavily phosphorus-doped single crystalline Czochralski silicon polished wafers
团体名称:浙江省品牌建设联合会
包含专利:否
中国标准分类号:H82
国际标准分类号:29.045
行业分类:C397 电子器件制造
标准层级:团体标准
主要技术内容:本标准规定了200 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存、订货单(或合同)内容和质量承诺。本标准适用于以电子级多晶硅为主要原材料,采用直拉法制备的直径为200 mm的硅单晶抛光片。产品主要用于集成电路、分立器件用外延片的衬底。
起草单位:浙江金瑞泓科技股份有限公司、金瑞泓科技(衢州)有限公司
起草人:许峰、朱华英、陈平人、田达晰、梁兴勃、刘红方、李方虎、李艳玲

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