T/NXCL 28-2024 半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚
Synthetic quartz crucible for semiconductor grade monocrystalline silicon growth
资源信息
| 标准号 | T/NXCL 28-2024 | 标准状态 | 现行 |
|---|---|---|---|
| 发布日期 | 2024-02-02 | 实施日期 | 2024-02-02 |
| 发布单位 | |||
| 归口单位 | |||
标准状态:现行标准号:T/NXCL 28-2024标准名:半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚标准英文名:Synthetic quartz crucible for semiconductor grade monocrystalline silicon growth团体名称:宁夏材料研究学会包含专利:否国际标准分类号:29.045行业分类:C398 电子元件及电子专用材料制造标准层级:团体标准主要技术内容:本文件规定了半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚的术语和定义、规格尺寸、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等方面的内容。本文件适用于合成石英砂(成分:二氧化硅)为内层原料,采用电弧熔融法工艺生产,应用于直拉法半导体级单晶硅生长的石英坩埚。起草单位:宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、宁夏大学、宁夏高创特能源科技有限公司、宁夏旭樱新能源科技有限公司起草人:李长苏、熊欢、何玉鹏、陈荣贵、王建军、史海贝、闫素婷、陈金莲、马万保、马荣天、王黎光、芮阳、李海波、盛旺、田宝春
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