T/CNS 82-2022 宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法

资源信息

标准状态：现行
标准号：T/CNS 82-2022
标准名：宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法
标准英文名：Test method for total ionizing dose effect of static random-access memory in space application
团体名称：中国核学会
包含专利：否
中国标准分类号：F 70
国际标准分类号：27.120.01 核能综合
行业分类：C397 电子器件制造
标准层级：团体标准
适用范围:本文件适用于评估宇航用SRAM的抗总剂量效应能力，抗辐射加固SRAM试验验证，SRAM总剂量效应研究。
主要技术内容：本文件适用于评估宇航用SRAM的抗总剂量效应能力，抗辐射加固SRAM试验验证，SRAM总剂量效应研究。
起草单位：中国科学院新疆理化技术研究所、中国科学院微小卫星创新研究院、中国航天科技集团有限公司第五研究院宇航物资保障事业部
起草人：郑齐文、崔江维、余学峰、郭旗、李豫东、王信、张丹、陆妩、何承发、崔帅、李鹏伟