T/SZBSIA 006-2022 IC类半导体固晶机技术规范

Semiconductor di e bonder technical?norm

资源信息

标准号 T/SZBSIA 006-2022 标准状态 现行
发布日期 2022-09-23 实施日期 2022-09-24
发布单位
归口单位

标准状态:现行
标准号:T/SZBSIA 006-2022
标准名:IC类半导体固晶机技术规范
标准英文名:Semiconductor di e bonder technical?norm
团体名称:深圳市宝安区半导体行业协会
包含专利:是
国际标准分类号:25-010
行业分类:C356 电子和电工机械专用设备制造
标准层级:团体标准
主要技术内容:本文件规定了半导体固晶机的术语和定义、结构与基本参数、技术要求、试验方法、检验规则、使用说明书与标志、包装、运输和储存。本文件适用于IC类半导体固晶机。
起草单位:深圳新益昌科技股份有限公司、深圳市宝安区半导体行业协会、深圳市洲明科技股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、鸿利智汇集团股份有限公司广州分公司、深圳雷曼光电科技股份有限公司、深圳市锐骏半导体股份有限公司、深圳市聚飞光电股份有限公司、深圳市秀武电子有限公司、深圳市信展通电子股份有限公司、深圳市宝安区集成电路产业技术创新联盟、深圳市时创意电子有限公司、深圳清华大学研究院、深圳市路远智能装备有限公司、深圳市振华兴科技有限公司、深圳市晶凯电子技术有限公司、深圳绘王趋势科技股份有限公司、深圳市三联盛科技股份有限公司
起草人:彭顺安、刘慧 、于江情、郑文杰、曾晓明、王跃飞、余亮、黄泽军、孙平如、赵越、施锦源、马保峰、刘岩、敬刚、贾孝荣、廖怀宝、刘纪文、王周宏、张莹、朱文锋

提示

本站资源均来自互联网公开发布和用户分享,仅供参考,勿用于任何商业用途

相关内容

  1. GB/T 43366-2023 宇航用半导体分立器件通用规范
  2. GB/T 43136-2023 超硬磨料制品 半导体芯片精密划切用砂轮
  3. GB/T 37131-2018 纳米技术 半导体纳米粉体材料紫外-可见漫反射光谱的测试方法(外文版EN)
  4. T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)功率循环试验方法
  5. GB/T 12669-2012 半导体变流串级调速装置总技术条件
  6. GB/T 15649-1995 半导体激光二极管空白详细规范
  7. GB/T 15653-1995 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
  8. GB/T 21548-2021 光通信用高速直接调制半导体激光器的测量方法
  9. GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法
  10. T/TRSC 001-2022 林下山参鉴定及分等质量