T/IAWBS 014-2021 碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法

资源信息

标准状态：现行
标准号：T/IAWBS 014-2021
标准名：碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法
标准英文名：Test method for dislocation density of silicon carbide polished wafers
团体名称：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
包含专利：否
国际标准分类号：29.045
行业分类：C398 电子元件及电子专用材料制造
标准层级：团体标准
适用范围:本文件规定了碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法。 本文件适用于晶面偏离{0001}面角度为0°～8°的碳化硅单晶抛光片的位错密度的测试。
主要技术内容：本文件规定了碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法。本文件适用于晶面偏离{0001}面角度为0°～8°的碳化硅单晶抛光片的位错密度的测试。
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟，北京天科合达半导体股份有限公司
起草人：彭同华、佘宗静、娄艳芳、王大军、赵宁、陈海芹、王波、刘春俊、郭钰、杨建