T/CASAS 013-2021 碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法

资源信息

标准状态：现行
标准号：T/CASAS 013-2021
标准名：碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法
标准英文名：Measuring method for testing the density of dislocation in SiC crystalCombined KOH etching and image recognition methods
团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
包含专利：否
国际标准分类号：31-030
行业分类：C398 电子元件及电子专用材料制造
标准层级：团体标准
适用范围:本本件规定了用化学择优腐蚀结合图像识别法检测碳化硅晶片中位错密度的方法。 本文件适用于4H及6H-SiC晶片材料中Si面位错检测及其密度统计，材料表面为化学机械抛光状态。
主要技术内容：本本件规定了用化学择优腐蚀结合图像识别法检测碳化硅晶片中位错密度的方法。本文件适用于4H及6H-SiC晶片材料中Si面位错检测及其密度统计，材料表面为化学机械抛光状态。
起草单位：广州南砂晶圆半导体技术有限公司、山东大学、深圳第三代半导体研究院、广东芯聚能半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草人：陈秀芳、崔潆心、于金英、胡小波、于国建、徐现刚、杨安丽、朱贤龙、魏学成、赵璐冰