T/IAWBS 007-2018 4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法

资源信息

标准状态：现行
标准号：T/IAWBS 007-2018
标准名：4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法
标准英文名：Test method for thickness of 4H silicon carbide homo-epitaxial layers by infrared reflectance
团体名称：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
包含专利：否
国际标准分类号：29.045
行业分类：C398 电子元件及电子专用材料制造
标准层级：团体标准
适用范围:本标准规定了4H-N型重掺杂碳化硅衬底（N型掺杂浓度>5×1018 cm-3）上同质外延层（掺 杂浓度5×1014cm-3-5×1016 cm-3）厚度的红外反射测量方法。 本标准适用于2-100微米的碳化硅外延层。
主要技术内容：本标准规定了4H-N型重掺杂碳化硅衬底（N型掺杂浓度>5×1018 cm-3）上同质外延层（掺杂浓度5×1014cm-3-5×1016 cm-3）厚度的红外反射测量方法。本标准适用于2-100微米的碳化硅外延层。本标准规定的方法是 4H 碳化硅衬底与外延层因掺杂浓度的不同导致两者具有不同的折射率，因此试样的反射光谱会出现反映外延层厚度信息的连续干涉条纹。当外延层表面反射的光束和衬底界面反射的光束的光程差是半波长的整数倍时，反射光谱中可以观察到极大极小值。根据反射谱中干涉条纹的极值峰位，试样的光学常数以及入射角可以计算出相应的外延层厚度。4H 碳化硅外延层的厚度检测原理如图2：入射光由A 处入射，经由外延表面AC 反射，同时经过折射在衬底和外延界面B 处反射，由C 处射出，和D 处的反射光之间的相位差δ即可求得。
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、东莞市天域半导体科技有限公司、全球能源互联网研究院、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、中国电子科技集团公司第二研究所、西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所
起草人：张新河、钮应喜、王英民、贾仁需、张峰、刘丹、陈志霞、闫果果、陆敏、郑红军、彭同华、林雪如、陈鹏、刘祎晨