T/CASAS 014-2021 碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法

资源信息

标准状态：现行
标准号：T/CASAS 014-2021
标准名：碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法
标准英文名：Measuring method for basal plane bending of SiC substrate — High resolution X-ray diffractometry
团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
包含专利：否
国际标准分类号：31-030
行业分类：C398 电子元件及电子专用材料制造
标准层级：团体标准
适用范围:本文件规定了用高分辨X射线衍射法表征6H和4H碳化硅单晶衬底基平面弯曲的方法。 本文件适用于（0001）面或（0001）面偏晶向的6H和4H-碳化硅单晶衬底中基平面弯曲的表征。
主要技术内容：本文件规定了用高分辨X射线衍射法表征6H和4H碳化硅单晶衬底基平面弯曲的方法。本文件适用于（0001）面或（0001）面偏晶向的6H和4H-碳化硅单晶衬底中基平面弯曲的表征。
起草单位：广州南砂晶圆半导体技术有限公司、山东大学、深圳第三代半导体研究院、广东芯聚能半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草人：陈秀芳、崔潆心、于金英、胡小波、于国建、徐现刚、杨安丽、朱贤龙、魏学成、赵璐冰