GB/T 41751-2022 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法
Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers
资源信息
| 标准号 | GB/T 41751-2022 | 标准状态 | 现行 |
|---|---|---|---|
| 发布日期 | 2022-10-14 | 实施日期 | 2023-02-01 |
| 发布单位 | 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会 | ||
| 归口单位 | 国家标准委 | ||
标准状态：现行标准号：GB/T 41751-2022标准名：氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法标准英文名：Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers批准发布部门：国家标准委中国标准分类号：H21国际标准分类号：77.040标准层级：GBT推荐性国家标准
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