T/NXCL 30-2024 300 mm低氧含量直拉硅单晶
300 mm low oxygen content single crystaline Czochralski silicon
资源信息
| 标准号 | T/NXCL 30-2024 | 标准状态 | 现行 |
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| 发布日期 | 2024-02-06 | 实施日期 | 2024-02-06 |
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标准状态:现行标准号:T/NXCL 30-2024标准名:300 mm低氧含量直拉硅单晶标准英文名:300 mm low oxygen content single crystaline Czochralski silicon团体名称:宁夏材料研究学会包含专利:否国际标准分类号:29.045行业分类:C398 电子元件及电子专用材料制造标准层级:团体标准主要技术内容:本文件规定了300 mm低氧含量直拉硅单晶的技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和质量承诺等方面的内容。本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料,采用直拉法制备的直径为300 mm 的低氧含量硅单晶。产品主要用于绝缘栅双极晶体管(IGBT)等功率器件的衬底。起草单位:宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、北方民族大学、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、厦门大学、宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏高创特能源科技有限公司起草人:芮阳、商润龙、王黎光、杨少林、陈亚、赵泽慧、白圆、马成、曹启刚、王忠保、熊欢、李聪、王云峰、李长苏、顾燕滨、盛之林、黄柳青、盛旺
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