T/IAWBS 015-2021 氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法

资源信息

标准状态：现行
标准号：T/IAWBS 015-2021
标准名：氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
标准英文名：Test method for full width at half maximum of double crystal X-ray rocking curve of Ga2O3 single crystal substrate
团体名称：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
包含专利：否
国际标准分类号：29.045
行业分类：C398 电子元件及电子专用材料制造
标准层级：团体标准
适用范围:本文件规定了利用双晶X射线衍射仪测试氧化镓单晶片摇摆曲线及其半高宽的方法。 本文件适用于熔体法及其他方法生长的和定向切割晶锭制备的氧化镓单晶片，对前述单晶片进行化学或机械抛光后的样品同样适用于此方法。 本文件适用于β相氧化镓单晶。
主要技术内容：本文件规定了利用双晶X射线衍射仪测试氧化镓单晶片摇摆曲线及其半高宽的方法。本文件适用于熔体法及其他方法生长的和定向切割晶锭制备的氧化镓单晶片，对前述单晶片进行化学或机械抛光后的样品同样适用于此方法。本文件适用于β相氧化镓单晶。
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟，北京邮电大学，北京镓族科技有限公司
起草人：李培刚、郭道友、吴忠亮、陈旭、唐为华