T/CSTM 00909-2023 介质基板介电常数和介质损耗角正切测试方法（1MHz~1GHz） 平行板电容法

资源信息

标准状态：现行
标准号：T/CSTM 00909-2023
标准名：介质基板介电常数和介质损耗角正切测试方法（1MHz~1GHz） 平行板电容法
标准英文名：Test method for dielectric constant and dielectric loss tangent of dielectric substrate (1MHz~1GHz) - Parallel plate capacitance method
团体名称：中关村材料试验技术联盟
包含专利：否
中国标准分类号：L 30
国际标准分类号：31.180
行业分类：C398 电子元件及电子专用材料制造
标准层级：团体标准
适用范围:本文件规定了采用接触电极平行板电容法测试介质基板的介电常数和介质损耗角正切的符号和缩略语、原理、环境条件、仪器设备、样品、试验步骤、计算、系统误差、注意事项和试样报告。 本文件适用于介质基板及类似介电材料的介电常数和介质损耗角正切测试方法，不适用于测量低损耗材料。 频率测试范围：f=1MHz~1GHz ； 介电常数测试范围：ε_r^'=1.0~35.0； 损耗角正切值测试范围：tan?〖δ_ε=5.0×10^(-3)~5.0×10^(-2) 〗。
主要技术内容：本文件规定了采用接触电极平行板电容法测试介质基板的介电常数和介质损耗角正切的符号和缩略语、原理、环境条件、仪器设备、样品、试验步骤、计算、系统误差、注意事项和试样报告。本文件适用于介质基板及类似介电材料的介电常数和介质损耗角正切测试方法，不适用于测量低损耗材料。频率测试范围：f=1MHz~1GHz ；介电常数测试范围：ε_r^'=1.0~35.0；损耗角正切值测试范围：tan?〖δ_ε=5.0×10^(-3)~5.0×10^(-2) 〗。
起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、电子科技大学、成都恩驰微波科技有限公司、广东生益科技股份有限公司、中兴通讯股份有限公司、山东国瓷功能材料股份有限公司、深圳先进电子材料国际创新研究院
起草人：何骁，肖美珍，沈江华，陈泽坚，罗定锋，贺光辉，余承勇，王峰，王玉，魏新启，葛鹰，朱辉，李恩，孙莹莹，于淑会，罗道军