T/CNS 81-2022 电荷耦合器件质子位移损伤效应模拟试验方法
Simulation test method of proton induced displacement damage effects in charge-coupled device
资源信息
| 标准号 | T/CNS 81-2022 | 标准状态 | 现行 |
|---|---|---|---|
| 发布日期 | 2022-12-16 | 实施日期 | 2023-04-01 |
| 发布单位 | |||
| 归口单位 | |||
标准状态:现行标准号:T/CNS 81-2022标准名:电荷耦合器件质子位移损伤效应模拟试验方法标准英文名:Simulation test method of proton induced displacement damage effects in charge-coupled device团体名称:中国核学会包含专利:否中国标准分类号:F 70国际标准分类号:27.120.01 核能综合行业分类:C397 电子器件制造标准层级:团体标准适用范围:本文件适用于宇航用CCD位移损伤效应辐照试验。主要技术内容:本文件适用于宇航用CCD位移损伤效应辐照试验。起草单位:中国科学院新疆理化技术研究所、中国科学院微小卫星创新研究院、中国航天科技集团公司第五研究院物资部起草人:文林、李豫东、郭旗、周东、何承发、张兴尧、于新、冯婕、王信、张丹、崔帅、李鹏伟
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