T/CASAS 046-2024 SiC MOSFET动态反偏(DRB)试验方法

资源信息

标准状态：现行
标准号：T/CASAS 046-2024
标准名：SiC MOSFET动态反偏(DRB)试验方法
标准英文名：Dynamic reverse bias (DRB) test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor filed effect transistors (SiC MOSFET)
团体名称：第三代半导体产业技术创新战略联盟
包含专利：否
国际标准分类号：31.080.01 半导体器分立件综合
行业分类：C397 电子器件制造
标准层级：团体标准
适用范围:碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在髙温、高频等极端环境下工作的电子器件。 由于SiC MOSFET在功率变换中常面临高压、高频、高温等复杂应力条件，其终端充放电效应，在开关性能明显优于Si器件的SiC器件中更为突出，为了验证终端的可靠性不会因器件导通和关断引起的电场强度持续变化而受到影响，有必要对SiC MOSFET在开关动态情况下的反偏可靠性进行评估。本文件给出了适用于SiC MOSFET器件的动态反偏(DRB)试验方法。
主要技术内容：本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的动态反偏(DRB)试验方法，用于评估高dV/dt对芯片内部结构快速充电导致的老化。本文件适用于单管级和模块级SiC MOSFET。
起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、忱芯科技（上海）有限公司、中国科学院电工研究所、比亚迪半导体股份有限公司、清纯半导体(宁波)有限公司、复旦大学宁波研究院、东风汽车集团有限公司、湖北九峰山实验室、深圳市禾望电气股份有限公司、杭州芯迈半导体技术有限公司、中国电力科学研究院有限公司、中国第一汽车集团有限公司、广电计量检测集团股份有限公司、西安交通大学、深圳平湖实验室、江苏第三代半导体研究院有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
起草人：陈媛、何亮、施宜军、毛赛君、陈兴欢、赵鹏、王宏跃、蔡宗棋、张瑾、吴海平、孙博韬、丁琪超、左元慧、张俊然、李钾、王民、王丹丹、谢峰、闵晨、杨霏、刘昌、朱占山、张诗梦、李汝冠、王来利、张彤宇、王铁羊、刘陆川、胡浩林、李炜鸿、赵高锋、李本亮、高伟。