T/CASAS 026-2023 碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法

资源信息

标准状态：现行
标准号：T/CASAS 026-2023
标准名：碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法
标准英文名：Test method for minority carrier lifetime in silicon carbide—microwave photoconductive decay
团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
包含专利：否
国际标准分类号：31-030
行业分类：C398 电子元件及电子专用材料制造
标准层级：团体标准
主要技术内容：本文件描述了用微波光电导法测定碳化硅少数载流子寿命的方法。本文件适用于少数载流子寿命为20 ns～200 μs的碳化硅晶片的寿命测定及质量评价。
起草单位：山东大学、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、广东天域半导体股份有限公司、泰科天润半导体科技（北京）有限公司、杭州海乾半导体有限公司、安徽长飞先进半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草人：杨祥龙、崔潆心、彭燕、徐现刚、来玲玲、于国建、冯淦、丁雄杰、秋琪、林云昊、赵海明、钮应喜、金向军、徐瑞鹏