T/CASAS 021-2024 SiC MOSFET阈值电压测试方法

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标准状态：现行
标准号：T/CASAS 021-2024
标准名：SiC MOSFET阈值电压测试方法
标准英文名：Threshold voltage test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistor(SiC MOSFETs)
团体名称：第三代半导体产业技术创新战略联盟
包含专利：否
国际标准分类号：31.080.01 半导体器分立件综合
行业分类：C397 电子器件制造
标准层级：团体标准
适用范围:本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）阈值电压测试方法。 本文件适用于N沟道SiC MOSFET晶圆、芯片及封装产品的测试。
主要技术内容：本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）阈值电压测试方法。本文件适用于N沟道SiC MOSFET晶圆、芯片及封装产品的测试。
起草单位：中国电子科技集团第五十五研究所、南京第三代半导体技术创新中心有限公司、扬州国扬电子有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、工业和信息化部电子第五研究所、东南大学、杭州芯迈半导体技术有限公司、广电计量检测集团股份有限公司、浙江大学、浙江大学绍兴研究院、湖北九峰山实验室、是德科技（中国）有限公司、博测锐创半导体科技（苏州）有限公司、北京励芯泰思特测试技术有限公司、山东大学、泰科天润半导体科技（北京）有限公司、西安交通大学、朝阳微电子科技股份有限公司、山东阅芯电子科技有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、厦门华联半导体科技有限公司、芯合半导体（合肥）有限公司、广东能芯半导体科技有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
起草人：刘奥、张国斌、柏松、黄润华、杨勇、桂明洋、迟雷、陈媛、徐申、孙钦华、李汝冠、郭清、林氦、王丹丹、孙承志、陈彦锐、何黎、崔潆心、胡惠娜、王来利、裴云庆、韩冰冰、佘超群、刘宗亮、赵高锋、段果、赵海明、姜南、高伟。