T/CASAS 010-2019 氮化镓材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法

资源信息

标准状态：现行
标准号：T/CASAS 010-2019
标准名：氮化镓材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
标准英文名：Determination of Trace Impurities Concentration and Distribution in GaN Materials by Secondary Ion Mass Spectrometry
团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
包含专利：否
国际标准分类号：31.080.01 半导体器分立件综合
行业分类：C398 电子元件及电子专用材料制造
标准层级：团体标准
主要技术内容：半导体材料中的痕量杂质元素浓度及其分布高精度表征是影响产业链不同阶段产品（如衬底、外延、芯片、器件）性能的重要参数。二次离子质谱仪是检测材料痕量杂质元素浓度及分布的最常用且最精准的设备。目前我国以二次离子质谱方法高精度检测第三代半导体材料中的痕量杂质浓度及分布的标准属于空白领域，因此该标准的制定对第三代半导体材料的特征参数评价及产业应用具有较强的积极作用。
起草单位：北京科技大学、中国科学院半导体研究所、北京国联万众半导体有限公司、深圳第三代半导体研究院、中国科学院苏州纳米所、北京大学、广东芯聚能半导体有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中科钢研节能科技有限公司、济南力冠电子科技有限公司
起草人：齐俊杰、魏学成、胡超胜、李志超、卫喆、张志国、张凯、田飞飞、许福军、郑永生、郭艳敏、王锡铭、宋德鹏、李晋闽