T/CASAS 005-2022 用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法

资源信息

标准状态：现行
标准号：T/CASAS 005-2022
标准名：用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法
标准英文名：Dynamic on-resistance test method for GaN high electron mobility transistor(HEMT) in hard-switching circuits
团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
包含专利：否
国际标准分类号：31.080.01 半导体器分立件综合
行业分类：C398 电子元件及电子专用材料制造
标准层级：团体标准
适用范围:本文件规定了用于硬开关切换电路的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）动态导通电阻测试方法。 本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件： a) GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件； b) GaN集成功率电路； c) 以上的晶圆级及封装级产品。
主要技术内容：本文件规定了用于硬开关切换电路的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）动态导通电阻测试方法。本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：a) GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件；b) GaN集成功率电路；c) 以上的晶圆级及封装级产品。
起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、佛山市联动科技股份有限公司、珠海镓未来科技有限公司、东南大学、英诺赛科（珠海）科技有限公司、浙江大学、大连理工大学、西安电子科技大学、西交利物浦大学、江南大学、北京大学、佛山市国星光电股份有限公司、北京大学东莞光电研究院、中国科学院半导体研究所、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草人：贺致远、田飞飞、吴毅锋、李胜、银杉、吴新科、董泽政、施宜军、陈媛、刘斯扬、李凯、陈希辰、刘庆源、黄火林、李祥东、刘雯、闫大为、王茂俊、袁海龙、王琦、张旭、高伟