GB/T 36613-2018 发光二极管芯片点测方法

Probe test method for light emitting diode chips

资源信息

标准号 GB/T 36613-2018 标准状态 现行
发布日期 2018-09-17 实施日期 2019-01-01
发布单位 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位 工业和信息化部(电子)

标准状态:现行
标准号:GB/T 36613-2018
标准名:发光二极管芯片点测方法
标准英文名:Probe test method for light emitting diode chips
批准发布部门:工业和信息化部(电子)
中国标准分类号:L45
国际标准分类号:31.260
标准层级:GBT推荐性国家标准

提示

本站资源均来自互联网公开发布和用户分享,仅供参考,勿用于任何商业用途

相关内容

  1. T/CIE 134-2022 磁随机存储芯片数据保持时间测试方法
  2. GB/T 28856-2012 硅压阻式压力敏感芯片
  3. T/QGCML 585-2022 LED芯片技术规范
  4. T/CIE 126-2021 磁随机存储芯片测试方法
  5. GB/T 5495-2008 粮油检验 稻谷出糙率检验