GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法
Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon—In-line four-point probe and direct current two-point probe method
资源信息
| 标准号 | GB/T 1551-2021 | 标准状态 | 现行 |
|---|---|---|---|
| 发布日期 | 2021-05-21 | 实施日期 | 2021-12-01 |
| 发布单位 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | ||
| 归口单位 | 国家标准委 | ||
标准状态:现行标准号:GB/T 1551-2021标准名:硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法标准英文名:Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon—In-line four-point probe and direct current two-point probe method批准发布部门:国家标准委中国标准分类号:H21国际标准分类号:77.040标准层级:GBT推荐性国家标准
提示
本站资源均来自互联网公开发布和用户分享,仅供参考,勿用于任何商业用途
相关内容
- GB/T 26074-2010 锗单晶电阻率直流四探针测量方法
- DB22/T 3089-2019 羊传染性脓疱病毒检测 荧光PCR探针法
- SN/T 5315-2021 光催化自洁陶瓷性能测试方法 荧光探针法
- SN/T 3399-2012 大豆茎溃疡病菌检疫鉴定方法--TaqMan MGB探针实时荧光PCR检测方法
- GB/T 17360-2020 微束分析 钢中低含量硅、锰的电子探针定量分析方法
- GB/T 15394-1994 多探针测试台通用技术条件
- HB 8422-2014(2017) 合金中微量元素电子探针定量分析方法
- JY/T 0582-2020 扫描探针显微镜分析方法通则
- GB/T 15616-2008 金属及合金的电子探针定量分析方法
- GB/T 25450-2010 重水堆核电厂燃料元件端塞焊缝涡流检测