GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
资源信息
| 标准号 | GB/T 14141-2009 | 标准状态 | 现行 |
|---|---|---|---|
| 发布日期 | 2009-10-30 | 实施日期 | 2010-06-01 |
| 发布单位 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | ||
| 归口单位 | 国家标准委 | ||
标准状态：现行标准号：GB/T 14141-2009标准名：硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法标准英文名：Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array批准发布部门：国家标准委中国标准分类号：H80国际标准分类号：29.045标准层级：GBT推荐性国家标准
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