GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon
资源信息
| 标准号 | GB/T 13389-2014 | 标准状态 | 现行 |
|---|---|---|---|
| 发布日期 | 2014-12-31 | 实施日期 | 2015-09-01 |
| 发布单位 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | ||
| 归口单位 | 国家标准委 | ||
标准状态：现行标准号：GB/T 13389-2014标准名：掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程标准英文名：Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon批准发布部门：国家标准委中国标准分类号：H80国际标准分类号：29.045标准层级：GBT推荐性国家标准
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